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NTZD5110NT1G

NTZD5110NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
部品番号
NTZD5110NT1G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-563, SOT-666
パワー - 最大
250mW
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-563
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
294mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
24.5pF @ 20V
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