NTD5865NT4G
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
部品番号
NTD5865NT4G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
DPAK
消費電力(最大)
71W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
23nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1261pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 11474 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード NTD5865NT4G
NTD5865NT4G 電子部品
NTD5865NT4G 売上
NTD5865NT4G サプライヤー
NTD5865NT4G ディストリビュータ
NTD5865NT4G データテーブル
NTD5865NT4Gの写真
NTD5865NT4G 価格
NTD5865NT4G オファー
NTD5865NT4G 最安値
NTD5865NT4G 検索
NTD5865NT4G を購入中
NTD5865NT4G チップ