ON Semiconductor NTD4960N-1G MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK を購入

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NTD4960N-1G

MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK

部品番号

NTD4960N-1G

メーカー/ブランド

ON Semiconductor

シリーズ

部品のステータス

Obsolete

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

サプライヤーデバイスパッケージ

I-PAK

消費電力(最大)

1.07W (Ta), 35.71W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

8.9A (Ta), 55A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

8 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

22nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1300pF @ 15V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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