ON Semiconductor NDD03N50Z-1G MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK を購入

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NDD03N50Z-1G

MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK

部品番号

NDD03N50Z-1G

メーカー/ブランド

ON Semiconductor

シリーズ

部品のステータス

Obsolete

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

サプライヤーデバイスパッケージ

I-PAK

消費電力(最大)

58W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

500V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

2.6A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

3.3 Ohm @ 1.15A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4.5V @ 50µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

10nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

274pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±30V

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