ON Semiconductor
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FDMD8680
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FDMD8680

MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
部品番号
FDMD8680
メーカー/ブランド
ON Semiconductor
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerWDFN
パワー - 最大
39W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PQFN (5x6)
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
80V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
4.7 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
73nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
5330pF @ 40V
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