ON Semiconductor
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FDMD85100
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FDMD85100

MOSFET 2N-CH 100V
部品番号
FDMD85100
メーカー/ブランド
ON Semiconductor
シリーズ
PowerTrench®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerWDFN
パワー - 最大
2.2W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-Power 5x6
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
10.4A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
9.9 mOhm @ 10.4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
31nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2230pF @ 50V
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