ON Semiconductor
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FDG6335N
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FDG6335N

MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
部品番号
FDG6335N
メーカー/ブランド
ON Semiconductor
シリーズ
PowerTrench®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
パワー - 最大
300mW
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-70-6
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
700mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
113pF @ 10V
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