PMGD8000LN,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
部品番号
PMGD8000LN,115
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchMOS™
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
パワー - 最大
200mW
サプライヤーデバイスパッケージ
6-TSSOP
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
125mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
0.35nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
18.5pF @ 5V
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