PMDPB56XN,115
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
部品番号
PMDPB56XN,115
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-UDFN Exposed Pad
パワー - 最大
510mW
サプライヤーデバイスパッケージ
DFN2020-6
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.1A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
73 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
2.9nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
170pF @ 15V
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