NXP USA Inc. BUK9E4R4-80E,127 MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK を購入

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BUK9E4R4-80E,127

MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

部品番号

BUK9E4R4-80E,127

メーカー/ブランド

NXP USA Inc.

シリーズ

TrenchMOS™

部品のステータス

Obsolete

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

サプライヤーデバイスパッケージ

I2PAK

消費電力(最大)

349W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

80V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

4.2 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.1V @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

123nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

17130pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

5V, 10V

Vgs (最大)

±10V

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