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PSMN028-100YS,115

PSMN028-100YS,115

MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK
部品番号
PSMN028-100YS,115
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SC-100, SOT-669
サプライヤーデバイスパッケージ
LFPAK56, Power-SO8
消費電力(最大)
89W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
27.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
33nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1634pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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