PMXB65ENEZ
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
部品番号
PMXB65ENEZ
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
3-XDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
DFN1010D-3
消費電力(最大)
400mW (Ta), 8.33W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
67 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
11nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
295pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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