Nexperia USA Inc. PHT6NQ10T,135 MOSFET N-CH 100V 3A SOT223 を購入

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PHT6NQ10T,135

MOSFET N-CH 100V 3A SOT223

部品番号

PHT6NQ10T,135

メーカー/ブランド

Nexperia USA Inc.

シリーズ

TrenchMOS™

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-261-4, TO-261AA

サプライヤーデバイスパッケージ

SOT-223

消費電力(最大)

1.8W (Ta), 8.3W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

3A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

90 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

21nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

633pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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