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APTSM120AM55CT1AG
POWER MODULE - SIC
部品番号
APTSM120AM55CT1AG
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Bulk
動作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
SP1
パワー - 最大
470W
サプライヤーデバイスパッケージ
SP1
FETタイプ
2 N-Channel (Dual), Schottky
FETの特徴
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
74A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 2mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
272nC @ 20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
5120pF @ 1000V
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