APTC60AM70T1G
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
部品番号
APTC60AM70T1G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Bulk
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
SP1
パワー - 最大
250W
サプライヤーデバイスパッケージ
SP1
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
39A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
70 mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.9V @ 2.7mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
259nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
7000pF @ 25V
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