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APT25SM120S
POWER MOSFET - SIC
部品番号
APT25SM120S
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Bulk
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
D-3 Module
サプライヤーデバイスパッケージ
D3
消費電力(最大)
175W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
175 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
72nC @ 20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
-
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