Microchip Technology
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2N7000-G
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2N7000-G

MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3
部品番号
2N7000-G
メーカー/ブランド
Microchip Technology
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Bulk
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-92-3
消費電力(最大)
1W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
200mA (Tj)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
60pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±30V
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