SI3415A-TP
P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
部品番号
SI3415A-TP
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23
消費電力(最大)
1.4W
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
45 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
900mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
12nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
950pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±10V
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