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SI2333-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
パッケージ・ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
150 mOhm @ 500mA, 1.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
2nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1275pF @ 6V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V
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