IXFX55N50F
MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247
部品番号
IXFX55N50F
メーカー/ブランド
シリーズ
HiPerRF™
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
PLUS247™-3
消費電力(最大)
560W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
500V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
85 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5.5V @ 8mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
195nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
6700pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 8440 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IXFX55N50F
IXFX55N50F 電子部品
IXFX55N50F 売上
IXFX55N50F サプライヤー
IXFX55N50F ディストリビュータ
IXFX55N50F データテーブル
IXFX55N50Fの写真
IXFX55N50F 価格
IXFX55N50F オファー
IXFX55N50F 最安値
IXFX55N50F 検索
IXFX55N50F を購入中
IXFX55N50F チップ