IXTY1R6N50D2
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
部品番号
IXTY1R6N50D2
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252, (D-Pak)
消費電力(最大)
100W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
Depletion Mode
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
500V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2.3 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
23.7nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
645pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
±20V
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