IXYS IXTQ200N10T MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P を購入

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IXTQ200N10T

MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P

部品番号

IXTQ200N10T

メーカー/ブランド

IXYS

シリーズ

TrenchMV™

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-3P-3, SC-65-3

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-3P

消費電力(最大)

550W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

200A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

5.5 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

152nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

9400pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±30V

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