IXTM5N100A
POWER MOSFET TO-3
部品番号
IXTM5N100A
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Last Time Buy
包装
-
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-204AA, TO-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-204AA
消費電力(最大)
180W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1000V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
130nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2600pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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