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IXTH12N100L

IXTH12N100L

MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
部品番号
IXTH12N100L
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247 (IXTH)
消費電力(最大)
400W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1000V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.3 Ohm @ 500mA, 20V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
155nC @ 20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2500pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
20V
Vgs (最大)
±30V
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在庫あり 26022 PCS
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