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IXTF2N300P3

IXTF2N300P3

MOSFET N-CH
部品番号
IXTF2N300P3
メーカー/ブランド
シリーズ
Polar™
部品のステータス
Active
包装
-
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
i4-Pac™-5 (3 Leads)
サプライヤーデバイスパッケージ
ISOPLUS i4-PAC™
消費電力(最大)
160W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
3000V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
21 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
73nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1890pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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