IXTA6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
部品番号
IXTA6N100D2
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263 (IXTA)
消費電力(最大)
300W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
Depletion Mode
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1000V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2.2 Ohm @ 3A, 0V
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
95nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2650pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
±20V
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