IXTA18P10T
MOSFET P-CH 100V 18A TO-263
部品番号
IXTA18P10T
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchP™
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263 (IXTA)
消費電力(最大)
83W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
120 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
39nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2100pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±15V
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