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IXFX21N100Q

MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247

部品番号

IXFX21N100Q

メーカー/ブランド

IXYS

シリーズ

HiPerFET™

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-247-3

サプライヤーデバイスパッケージ

PLUS247™-3

消費電力(最大)

500W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

1000V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

21A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

500 mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

5.5V @ 4mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

170nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

6900pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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