IXFT15N100Q
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
部品番号
IXFT15N100Q
メーカー/ブランド
シリーズ
HiPerFET™
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-268
消費電力(最大)
360W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1000V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
700 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 4mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
170nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
4500pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 6565 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IXFT15N100Q
IXFT15N100Q 電子部品
IXFT15N100Q 売上
IXFT15N100Q サプライヤー
IXFT15N100Q ディストリビュータ
IXFT15N100Q データテーブル
IXFT15N100Qの写真
IXFT15N100Q 価格
IXFT15N100Q オファー
IXFT15N100Q 最安値
IXFT15N100Q 検索
IXFT15N100Q を購入中
IXFT15N100Q チップ