IXFQ60N60X
MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
部品番号
IXFQ60N60X
メーカー/ブランド
シリーズ
HiPerFET™
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-3P
消費電力(最大)
890W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
55 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4.5V @ 8mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
143nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
5800pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 53026 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IXFQ60N60X
IXFQ60N60X 電子部品
IXFQ60N60X 売上
IXFQ60N60X サプライヤー
IXFQ60N60X ディストリビュータ
IXFQ60N60X データテーブル
IXFQ60N60Xの写真
IXFQ60N60X 価格
IXFQ60N60X オファー
IXFQ60N60X 最安値
IXFQ60N60X 検索
IXFQ60N60X を購入中
IXFQ60N60X チップ