IXYS IXFA4N100Q-TRL MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

IXFA4N100Q-TRL

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263

部品番号

IXFA4N100Q-TRL

メーカー/ブランド

IXYS

シリーズ

HiPerFET™

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-263 (IXFA)

消費電力(最大)

150W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

1000V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

4A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

3 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4.5V @ 1.5mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

39nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1050pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 23526 PCS

連絡先

関連製品

IXFA102N15T

MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK