IXFA3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
部品番号
IXFA3N120
メーカー/ブランド
シリーズ
HiPerFET™
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263 (IXFA)
消費電力(最大)
200W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 1.5mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
39nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1050pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 27888 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IXFA3N120
IXFA3N120 電子部品
IXFA3N120 売上
IXFA3N120 サプライヤー
IXFA3N120 ディストリビュータ
IXFA3N120 データテーブル
IXFA3N120の写真
IXFA3N120 価格
IXFA3N120 オファー
IXFA3N120 最安値
IXFA3N120 検索
IXFA3N120 を購入中
IXFA3N120 チップ