IXDN430MYI
IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263
部品番号
IXDN430MYI
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Bulk
入力方式
Non-Inverting
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263 (D²Pak)
電圧 - 電源
8.5 V ~ 35 V
チャンネルタイプ
Single
駆動型構成
Low-Side
ドライバーの数
1
ゲートタイプ
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
ロジック電圧 - VIL、VIH
0.8V, 3.5V
電流 - ピーク出力 (ソース、シンク)
30A, 30A
ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ)
-
立ち上がり/立ち下がり時間 (標準値)
18ns, 16ns
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