IRFHM8363TR2PBF
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
部品番号
IRFHM8363TR2PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerVDFN
パワー - 最大
2.7W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
11A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.35V @ 25µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
15nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1165pF @ 10V
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