IRFHE4250DTRPBF
MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
部品番号
IRFHE4250DTRPBF
メーカー/ブランド
シリーズ
FASTIRFET™
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
32-PowerWFQFN
パワー - 最大
156W
サプライヤーデバイスパッケージ
32-PQFN (6x6)
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
25V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
86A, 303A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2.75 mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.1V @ 35µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
20nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1735pF @ 13V
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