IRFH7911TR2PBF
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
部品番号
IRFH7911TR2PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
18-PowerVQFN
パワー - 最大
2.4W, 3.4W
サプライヤーデバイスパッケージ
PQFN (5x6)
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
13A, 28A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
8.6 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.35V @ 25µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
12nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1060pF @ 15V
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