IRFH5025TR2PBF
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
部品番号
IRFH5025TR2PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-VQFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-QFN
消費電力(最大)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
250V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
100 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 150µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
56nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2150pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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