IRF7341PBF
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
部品番号
IRF7341PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Not For New Designs
包装
Tube
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
2W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
55V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.7A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
36nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
740pF @ 25V
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