IRF6729MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
部品番号
IRF6729MTR1PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
DirectFET™ Isometric MX
サプライヤーデバイスパッケージ
DIRECTFET™ MX
消費電力(最大)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
31A (Ta), 190A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.8 mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.35V @ 150µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
63nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
6030pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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