IRF5810TRPBF
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
部品番号
IRF5810TRPBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
パワー - 最大
960mW
サプライヤーデバイスパッケージ
6-TSOP
FETタイプ
2 P-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2.9A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
9.6nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
650pF @ 16V
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