IPS12CN10LGBKMA1
MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
部品番号
IPS12CN10LGBKMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
OptiMOS™
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-251-3 Stub Leads, IPak
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO251-3
消費電力(最大)
125W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
69A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
11.8 mOhm @ 69A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.4V @ 83µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
58nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
5600pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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