IPI037N06L3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
部品番号
IPI037N06L3GHKSA1
メーカー/ブランド
シリーズ
OptiMOS™
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO262-3
消費電力(最大)
167W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
3.7 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.2V @ 93µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
79nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
13000pF @ 30V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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