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IPD95R1K2P7ATMA1

IPD95R1K2P7ATMA1

MOSFET N-CH 950V 6A TO252
部品番号
IPD95R1K2P7ATMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
CoolMOS™ P7
部品のステータス
Active
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO252-3
消費電力(最大)
52W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
950V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.2 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 140µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
15nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
478pF @ 400V
Vgs (最大)
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
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