IPD16CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
部品番号
IPD16CNE8N G
メーカー/ブランド
シリーズ
OptiMOS™
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO252-3
消費電力(最大)
100W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
85V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
53A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
16 mOhm @ 53A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 61µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
48nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3230pF @ 40V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 33664 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IPD16CNE8N G
IPD16CNE8N G 電子部品
IPD16CNE8N G 売上
IPD16CNE8N G サプライヤー
IPD16CNE8N G ディストリビュータ
IPD16CNE8N G データテーブル
IPD16CNE8N Gの写真
IPD16CNE8N G 価格
IPD16CNE8N G オファー
IPD16CNE8N G 最安値
IPD16CNE8N G 検索
IPD16CNE8N G を購入中
IPD16CNE8N G チップ