Infineon Technologies IPD135N08N3GBTMA1 MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 を購入

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IPD135N08N3GBTMA1

MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

部品番号

IPD135N08N3GBTMA1

メーカー/ブランド

Infineon Technologies

シリーズ

OptiMOS™

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

サプライヤーデバイスパッケージ

PG-TO252-3

消費電力(最大)

79W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

80V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

45A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

13.5 mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

3.5V @ 33µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

25nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1730pF @ 40V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

6V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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