Infineon Technologies IPD12CNE8N G MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3 を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

IPD12CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

部品番号

IPD12CNE8N G

メーカー/ブランド

Infineon Technologies

シリーズ

OptiMOS™

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

サプライヤーデバイスパッケージ

PG-TO252-3

消費電力(最大)

125W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

85V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

67A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

12.4 mOhm @ 67A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 83µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

64nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

4340pF @ 40V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 52138 PCS

連絡先

関連製品

IPD1-02-D

POWER HOUSING MINI MATE