IPB65R190C7ATMA2
MOSFET N-CH TO263-3
部品番号
IPB65R190C7ATMA2
メーカー/ブランド
シリーズ
CoolMOS™ C7
部品のステータス
Active
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO263-3
消費電力(最大)
72W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
190 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 290µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
23nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1150pF @ 400V
Vgs (最大)
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
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