IPB65R110CFDAATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
部品番号
IPB65R110CFDAATMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263AB)
消費電力(最大)
277.8W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4.5V @ 1.3mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
118nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3240pF @ 100V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 5963 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IPB65R110CFDAATMA1
IPB65R110CFDAATMA1 電子部品
IPB65R110CFDAATMA1 売上
IPB65R110CFDAATMA1 サプライヤー
IPB65R110CFDAATMA1 ディストリビュータ
IPB65R110CFDAATMA1 データテーブル
IPB65R110CFDAATMA1の写真
IPB65R110CFDAATMA1 価格
IPB65R110CFDAATMA1 オファー
IPB65R110CFDAATMA1 最安値
IPB65R110CFDAATMA1 検索
IPB65R110CFDAATMA1 を購入中
IPB65R110CFDAATMA1 チップ