BSO615CGHUMA1
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
部品番号
BSO615CGHUMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
SIPMOS®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
2W
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-DSO-8
FETタイプ
N and P-Channel
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.1A, 2A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
110 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2V @ 20µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
22.5nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
380pF @ 25V
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