GSID200A120S3B1
SILICON IGBT MODULES
部品番号
GSID200A120S3B1
メーカー/ブランド
シリーズ
Amp+™
部品のステータス
Active
動作温度
-40°C ~ 150°C
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
D-3 Module
パワー - 最大
1595W
構成
2 Independent
サプライヤーデバイスパッケージ
D3
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
400A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)
1200V
電流 - コレクタカットオフ (最大)
1mA
IGBTの種類
-
Vce(on) (最大) @ Vge、Ic
2V @ 15V, 200A
入力容量 (Cies) @ Vce
20nF @ 25V
入力
Standard
NTCサーミスタ
No
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